几年来，以氮化镓（D-GaN,E-GaN）为标标志的第三代半导体带来的快充小型化渐成气候。这两年，高压氮化镓技术越来越成熟，特别是零待机方案把氮化镓带入更大的风口。可以说，从低端配件快充到高端品牌厂家都把零待机氮化镓作为首选突破方案。

   上海芯熠微电子的技术团队生深耕一线品牌手机市场多年，跟着市场需求做产品，为客户创造价值，零待机终于应用而生了。目前，uP-GaN系列产品已经获得多项发明专利，产品受到客户好评。   

UP-GAN驱动方案特点是：无光耦、协议内置、元件少，低成本、高集成。市场上其他的零待机方案也都带光耦或磁耦，量产的不多。这些方案的协议都是外置的，系统元件多，系统成本明显高于芯熠微电子的快充方案。